Модуль памяти Goodram LV DDR3 DIMM 4 Гб PC3-12800 1 шт. (GR1600D3V64L11S / 4G)
| Основные характеристики |
| Производитель | Goodram |
| Модель | GR1600D3V64L11S/4G |
| Тип оборудования | Модуль памяти LV DDR3 |
| Объем модуля памяти | 4 Гб |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Частота функционирования | до 1600 МГц |
| Стандарт памяти | PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) |
| Пропускная способность памяти | 12800 Мб/сек |
| Латентность | CL11 |
| Memory rank | Single rank |
| Количество чипов памяти | 8 чипов |
| Описание | Модуль памяти GoodRam GR1600D3V64L11S/4G |
| Тайминги | 11-11-11-28 |
| Напряжение питания | 1.35 В (LV DDR3) |
| Особенности корпуса |
| Высота | 30 мм |
| Логистика |
| Размеры упаковки (измерено в НИКСе) | 16.2 x 4.7 x 0.8 см |
| Вес брутто (измерено в НИКСе) | 0.024 кг |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в настоящем описании.
Указанная на сайте информация о ценах товара и комплектации не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.
Описание товара предоставлено компанией НИКС
