NAND Память: Toshiba 15nm Triple-Level Cell (TLC) Поддержка SMART (Поддержка технологии самоконтроля, анализа и протоколирования) Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1.5 Млн. часов Ударопрочность: 1500G/0,5 мс
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в настоящем описании. Указанная на сайте информация о ценах товара и комплектации не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.