Модуль памяти Goodram LV SO-DIMM DDR3 1x 2 Гб 
| Основные характеристики |
| Производитель | GOODRAM |
| Модель | GR1600S3V64L11/2G |
| Тип оборудования | Модуль памяти LV SO-DIMM DDR3 |
| Объем модуля памяти | 2 Гб |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Производительность |
| Частота функционирования | до 1600 МГц |
| Стандарт памяти | PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) |
| Пропускная способность памяти | 12800 Мб/сек |
| Латентность | CL11 |
| Конфигурация |
| Чип | 256M x 8-bit |
| Количество чипов памяти | 8 чипов |
| Memory rank | Single rank |
| Напряжение питания | 1.35 В (LV DDR3) |
| Прочие характеристики |
| Страна изготовления товара | Республика Польша |
| Логистика |
| Размеры упаковки (измерено в НИКСе) | 16.2 x 5.2 x 1.2 см |
| Вес брутто (измерено в НИКСе) | 0.018 кг |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в настоящем описании.
Указанная на сайте информация о ценах товара и комплектации не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.
Описание товара предоставлено компанией НИКС
