Модуль памяти Kingston HyperX Impact LV SO-DIMM DDR3 DIMM 8 Гб PC3-15000 2 шт. (HX318LS11IBK2 / 16)
| Основные характеристики |
| Производитель | Kingston |
| Серия | HyperX Impact |
| Модель | HX318LS11IBK2/16 |
| Тип оборудования | Модуль памяти LV SO-DIMM DDR3 |
| Объем модуля памяти | 8 Гб |
| Количество модулей в комплекте | 2 |
| Частота функционирования | до 1866 МГц |
| Стандарт памяти | PC3-15000 (DDR3 1866 МГц) |
| Пропускная способность памяти | 14928 Мб/сек |
| Латентность | CL11 |
| Количество чипов памяти | 16 чипов |
| Описание | Комплект из 2х модулей памяти Kingston HyperX для использования в 2х канальных чипсетах, Работает на частоте до 1866 МГц. |
| Тайминги | 11-11-11 |
| Напряжение питания | 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3) |
| Поддержка памяти |
| Поддержка ECC | Нет |
| Конфигурация |
| Чип | 512M x 8-bit |
| Логистика |
| Размеры упаковки (измерено в НИКСе) | 17 x 9.4 x 1.8 см |
| Вес брутто (измерено в НИКСе) | 0.044 кг |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в настоящем описании.
Указанная на сайте информация о ценах товара и комплектации не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.
Описание товара предоставлено компанией НИКС
