Модуль памяти Kingston HyperX Impact LV SO-DIMM DDR3 DIMM 4 Гб PC3-12800 2 шт. (HX316LS9IBK2 / 8)
| Основные характеристики |
| Описание | Комплект из 2х модулей памяти для использования в 2х канальных чипсетах |
| Модель | HX316LS9IBK2/8 |
| Производительность |
| Пропускная способность памяти | 12800 Мб/сек |
| Латентность | CL9 |
| Конфигурация |
| Чип | 512M x 8-bit |
| Количество чипов памяти | 8 чипов |
| Напряжение питания | 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3) |
| Логистика |
| Размеры упаковки (измерено в НИКСе) | 17 x 9.4 x 1.35 см |
| Вес брутто (измерено в НИКСе) | 0.04 кг |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в настоящем описании.
Указанная на сайте информация о ценах товара и комплектации не является офертой в смысле, определяемом положениями ст. 435 Гражданского Кодекса РФ.
Описание товара предоставлено компанией НИКС
